第三代半导体是指新一代的半导体材料，包括主要包括、氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石，和传统的半导体材料相比，主要特点是导热率比较高，抗辐射能力强，在光电行业应用比较广泛，其他领域包括新能源汽车、和充电桩等领域都需要用到第三代半导体，属于未来高端制造的刚需材料。
A股：十大“第三代半导体”产业链龙头公司一览（附名单）
1、晶方科技
相关概念：晶方产业基金将持有VisIC公司7.94%的股权，VisIC公司是第三代半导体领域GaN器件的领先者。
核心技术：自主开发了超薄晶圆级芯片尺寸封装技术、系统级封装技术，以及应用于汽车电子产品的封装技术等，拥有12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术，同时具备8英寸、12英寸的晶圆级芯片尺寸封装技术规模量产能力。
2、富满微
相关概念：在第三代半导体“氮化镓”快充领域有可搭配GaN的中高功率主控芯片、PD协议芯片等产品。
技术优势：富满电子在集成电路领域发展多年，推出400多种IC产品，公司已获得42项专利技术，其中发明专利13项，实用新型专利29项，集成电路布图设计登记18项，软件著作权18项。
3、士兰微
相关概念：公司持续加大在第三代半导体的投入，包括硅基氮化镓功率器件，建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片试线，涵盖材料生产、器件研发、 GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。
技术优势：经过将近二十年的发展，公司已经从一家纯芯片设计公司，发展成为设计与制造一体化的综合型半导体公司。
4、三安光电
相关概念：子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，项目正处于建设阶段。
技术优势：拥有iii-v族化合物半导体技术人才组成的技术研发团队，掌握的产品核心技术已达到同类产品的技术水平,在国内同行业中处于居首地位。
5、聚灿光电
相关概念：产品包括氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生产技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。
技术优势：已在LED外延生长和芯片制造的主要工序上拥有了核心技术，如高取光效率的图形化衬底、高发光效率的外延技术、高取光效率的芯片工艺技术、高发光效率高散热芯片等，已获得71项专利授权，其中发明专利15项、实用新型56项，另有58项专利申请处于审核状态。
6、华灿光电
相关概念：公司在GaN材料领域已具备多年的技术研究和储备，并且获批第三代半导体材料与器件实验室，博士后工作站，院士工作站等机构，支撑公司在GaN领域的技术开发和产品应用。
技术优势：目前RGBMini-LED芯片、车灯倒装LED芯片、超高光效白光LED芯片、红外LED芯片等研发项目已完成，产品和技术已应用到批量产品中。
7、奥海科技
相关概念：公司已自主研发出快充氮化镓产品，氮化镓充电器属于第三代半导体领域重要技术产品。
技术优势：通过自主研发以及和行业组织相互探讨研究，形成了技术沉淀，研发和生产制造技术、产品的性能质量均处于行业较高水平、投入人力物力进行新技术的研发，包括大功率无线充电技术、高压直充技术、GaN半导体材料电源的应用等，已获得发明专利23项、实用新型专利154项、外观设计专利58项。
8、捷捷微电
相关概念：公司与科学院微电子研究所合作共建“宽禁带电力电子工程技术研究中心”,主要是以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件，其中“新型氮化镓电力电子元件技术开发”目前仍处在研发过程中。
技术优势：目前已经研发并生产200多种功率芯片，形成了以芯片研发和制造为核心、器件封装为配套的完整的生产链，不断提升公司芯片的研发与创新能力，促进新产品、新技术、新材料应用、新工艺的研发成果产业化。
9、芯导科技
相关概念：公司拥有“一种氮化镓器件的制备方法及终端结构”发明专利，是公司开发第三代半导体材料氮化镓功率器件形成的专利技术，目前氮化镓器件部分产品已完成样品开发。
技术优势：自主研发一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、复合DC-DC电路、负载识别电路等核心技术，使得公司芯片产品及应用方案在性能、面积、功耗、兼容等方面大幅提升。
10、时代电气
相关概念：公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。
技术优势：公司坚持“同心多元化”战略，在轨道交通装备领域积累的技术、渠道、品牌等优势资源，积极布局轨道交通以外的产业，重点进入门槛高、差异化明显的新产业，公司已切入工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传感器件、海工装备等领域。
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